等離子刻蝕機主要采用射頻等離子源(也有采用微波離子源)激發反應氣體產生等氣體離子對目標物進行物理轟擊,以達到去除指定物質手段。因為反應力度要求較大,所以等離子刻蝕機基本是采用RF射頻等離子發生方式。同理,如果控制等離子源功率和其他相關參數可以降低反應力度,從而也可以對一般電子元件進行清洗去除污染物。從這層作用來講他們可以共用。
但是在半導體生產過程中,刻蝕和清洗兩個工作步驟往往分開的,不共用同一套設備。為了避免物理轟擊對元件成型電路帶來不可預知的損傷,現在等離子清洗機主流逐漸采用微波等離子清洗機(可百度搜索)了。它的優勢是表面電子能比RF少2個數量級,因此可以說對目標物能達到無損。
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